Términos clave
- aceptador de impurezas
- átomo sustituido por otro en un semiconductor que da lugar a un electrón libre.
- afinidad electrónica
- energía asociada a un electrón aceptado (enlazado).
- agujero
- estados desocupados en una banda de energía.
- amplificador
- dispositivo eléctrico que amplifica una señal eléctrica.
- átomo de impureza
- átomo de impureza aceptador o donante.
- banda de conducción
- por encima de la banda de valencia, la siguiente banda disponible en la estructura energética de un cristal.
- banda de energía
- banda casi continua de niveles de energía electrónica en un sólido.
- banda de impureza
- nueva banda de energía creada por el dopaje del semiconductor.
- banda de valencia
- banda de energía más alta que se llena en la estructura energética de un cristal.
- brecha energética
- brecha entre bandas de energía en un sólido
- campo magnético crítico
- campo máximo necesario para producir superconductividad.
- capa de agotamiento
- región cercana a la unión p-n que produce un campo eléctrico.
- configuración de polarización directa
- configuración de diodos que da lugar a una corriente alta.
- configuración de polarización inversa
- configuración de diodos que da lugar a una corriente baja.
- constante de Madelung
- constante que depende de la geometría de un cristal utilizada para determinar la energía potencial total de un ion en un cristal.
- constante de repulsión
- parámetro experimental asociado a una fuerza de repulsión entre iones tan cercanos que el principio de exclusión es importante.
- corriente de base
- corriente extraída del material de tipo n de la base en un transistor.
- corriente de colector
- corriente extraída del material tipo p del colector.
- cúbica centrada en el cuerpo (BCC)
- estructura cristalina en la que un ion está rodeado por ocho vecinos más cercanos situados en las esquinas de una celda unitaria.
- cúbica centrada en la cara (FCC)
- estructura cristalina en la que un ion está rodeado por seis vecinos más cercanos situados en las caras de una celda unitaria.
- cúbico simple
- estructura cristalina básica en la que cada ion se encuentra en los nodos de una cuadrícula tridimensional.
- densidad de estados
- número de estados cuánticos permitidos por unidad de energía.
- densidad numérica del electrón
- número de electrones por unidad de volumen.
- distancia de separación en equilibrio
- distancia entre los átomos de una molécula.
- dopaje
- alteración de un semiconductor por la sustitución de un tipo de átomo por otro.
- energía de disociación
- cantidad de energía necesaria para romper una molécula en átomos; también, energía total por par de iones para separar el cristal en iones aislados.
- energía de Fermi
- mayor energía ocupada por los electrones en un metal a .
- enlace covalente
- enlace formado por el intercambio de uno o más electrones entre átomos.
- enlace de van der Waals
- enlace formado por la atracción de dos moléculas eléctricamente polarizadas.
- enlace iónico
- enlace formado entre un ion positivo y otro negativo por la atracción de Coulomb.
- factor de Fermi
- número que expresa la probabilidad de que un estado de energía determinada se llene.
- hibridación
- cambio en la estructura energética de un átomo en el que los estados mixtos energéticamente favorables participan en el enlace.
- impureza del donante
- átomo sustituido por otro en un semiconductor que da lugar a un agujero electrónico libre.
- modelo de electrones libres
- modelo de un metal que ve los electrones como un gas.
- molécula poliatómica
- molécula formada por más de un átomo
- nivel de energía rotacional
- nivel de energía asociado a la energía rotacional de una molécula.
- nivel de energía vibracional
- nivel de energía asociado a la energía vibracional de una molécula.
- par de Cooper
- par de electrones unidos en un superconductor
- portador mayoritario
- electrones libres (o agujeros) aportados por los átomos de impureza.
- portador minoritario
- electrones libres (o agujeros) producidos por excitaciones térmicas a través de la brecha energética.
- red
- conjunto o disposición regular de los átomos en una estructura cristalina.
- regla de selección
- regla que limita las posibles transiciones de un estado cuántico a otro.
- semiconductor
- sólido con una brecha de energía relativamente pequeña entre la banda más baja completamente llena y la siguiente banda disponible sin llenar.
- semiconductor tipo n
- semiconductor dopado que conduce electrones.
- semiconductor tipo p
- semiconductor dopado que conduce agujeros.
- simetría de intercambio
- el modo en que cambia una función de onda total bajo el intercambio de dos electrones.
- superconductor tipo I
- elemento superconductor, como el aluminio o el mercurio.
- superconductor tipo II
- compuesto o aleación superconductora, como un metal de transición o un elemento de la serie de los actínidos.
- temperatura crítica
- temperatura máxima para producir superconductividad
- temperatura de Fermi
- temperatura efectiva de los electrones con energías iguales a la energía de Fermi.
- tensión de ruptura
- en un diodo, el voltaje de polarización inversa necesaria para provocar una avalancha de corriente.
- teoría BCS
- teoría de la superconductividad con base en las interacciones electrón-red-electrón.
- transición dipolar eléctrica
- transición entre niveles de energía provocada por la absorción o emisión de radiación.
- transistor de unión
- válvula eléctrica con base en una unión p-n-p.
- unión p-n
- unión formada por la unión de semiconductores de tipo p y n.
- velocidad de deriva
- velocidad media de una partícula en movimiento aleatorio.