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Términos clave

aceptador de impurezas
átomo sustituido por otro en un semiconductor que da lugar a un electrón libre.
afinidad electrónica
energía asociada a un electrón aceptado (enlazado).
agujero
estados desocupados en una banda de energía.
amplificador
dispositivo eléctrico que amplifica una señal eléctrica.
átomo de impureza
átomo de impureza aceptador o donante.
banda de conducción
por encima de la banda de valencia, la siguiente banda disponible en la estructura energética de un cristal.
banda de energía
banda casi continua de niveles de energía electrónica en un sólido.
banda de impureza
nueva banda de energía creada por el dopaje del semiconductor.
banda de valencia
banda de energía más alta que se llena en la estructura energética de un cristal.
brecha energética
brecha entre bandas de energía en un sólido
campo magnético crítico
campo máximo necesario para producir superconductividad.
capa de agotamiento
región cercana a la unión p-n que produce un campo eléctrico.
configuración de polarización directa
configuración de diodos que da lugar a una corriente alta.
configuración de polarización inversa
configuración de diodos que da lugar a una corriente baja.
constante de Madelung
constante que depende de la geometría de un cristal utilizada para determinar la energía potencial total de un ion en un cristal.
constante de repulsión
parámetro experimental asociado a una fuerza de repulsión entre iones tan cercanos que el principio de exclusión es importante.
corriente de base
corriente extraída del material de tipo n de la base en un transistor.
corriente de colector
corriente extraída del material tipo p del colector.
cúbica centrada en el cuerpo (BCC)
estructura cristalina en la que un ion está rodeado por ocho vecinos más cercanos situados en las esquinas de una celda unitaria.
cúbica centrada en la cara (FCC)
estructura cristalina en la que un ion está rodeado por seis vecinos más cercanos situados en las caras de una celda unitaria.
cúbico simple
estructura cristalina básica en la que cada ion se encuentra en los nodos de una cuadrícula tridimensional.
densidad de estados
número de estados cuánticos permitidos por unidad de energía.
densidad numérica del electrón
número de electrones por unidad de volumen.
distancia de separación en equilibrio
distancia entre los átomos de una molécula.
dopaje
alteración de un semiconductor por la sustitución de un tipo de átomo por otro.
energía de disociación
cantidad de energía necesaria para romper una molécula en átomos; también, energía total por par de iones para separar el cristal en iones aislados.
energía de Fermi
mayor energía ocupada por los electrones en un metal a T=0KT=0K.
enlace covalente
enlace formado por el intercambio de uno o más electrones entre átomos.
enlace de van der Waals
enlace formado por la atracción de dos moléculas eléctricamente polarizadas.
enlace iónico
enlace formado entre un ion positivo y otro negativo por la atracción de Coulomb.
factor de Fermi
número que expresa la probabilidad de que un estado de energía determinada se llene.
hibridación
cambio en la estructura energética de un átomo en el que los estados mixtos energéticamente favorables participan en el enlace.
impureza del donante
átomo sustituido por otro en un semiconductor que da lugar a un agujero electrónico libre.
modelo de electrones libres
modelo de un metal que ve los electrones como un gas.
molécula poliatómica
molécula formada por más de un átomo
nivel de energía rotacional
nivel de energía asociado a la energía rotacional de una molécula.
nivel de energía vibracional
nivel de energía asociado a la energía vibracional de una molécula.
par de Cooper
par de electrones unidos en un superconductor
portador mayoritario
electrones libres (o agujeros) aportados por los átomos de impureza.
portador minoritario
electrones libres (o agujeros) producidos por excitaciones térmicas a través de la brecha energética.
red
conjunto o disposición regular de los átomos en una estructura cristalina.
regla de selección
regla que limita las posibles transiciones de un estado cuántico a otro.
semiconductor
sólido con una brecha de energía relativamente pequeña entre la banda más baja completamente llena y la siguiente banda disponible sin llenar.
semiconductor tipo n
semiconductor dopado que conduce electrones.
semiconductor tipo p
semiconductor dopado que conduce agujeros.
simetría de intercambio
el modo en que cambia una función de onda total bajo el intercambio de dos electrones.
superconductor tipo I
elemento superconductor, como el aluminio o el mercurio.
superconductor tipo II
compuesto o aleación superconductora, como un metal de transición o un elemento de la serie de los actínidos.
temperatura crítica
temperatura máxima para producir superconductividad
temperatura de Fermi
temperatura efectiva de los electrones con energías iguales a la energía de Fermi.
tensión de ruptura
en un diodo, el voltaje de polarización inversa necesaria para provocar una avalancha de corriente.
teoría BCS
teoría de la superconductividad con base en las interacciones electrón-red-electrón.
transición dipolar eléctrica
transición entre niveles de energía provocada por la absorción o emisión de radiación.
transistor de unión
válvula eléctrica con base en una unión p-n-p.
unión p-n
unión formada por la unión de semiconductores de tipo p y n.
velocidad de deriva
velocidad media de una partícula en movimiento aleatorio.
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