Kluczowe pojęcia

Kluczowe pojęcia

atom domieszki (ang. impurity atom)

atom domieszki akceptorowej lub donorowej

cząsteczka wieloatomowa (ang. polyatomic molecule)

cząsteczka zawierająca więcej niż dwa atomy

czynnik Fermiego (ang. Fermi factor)

liczba wyrażająca prawdopodobieństwo, że stan o danej energii jest obsadzony

domieszka akceptorowa (ang. acceptor impurity)

atom podstawiony za atom macierzysty w półprzewodniku, co skutkuje pojawieniem się swobodnej dziury elektronowej

domieszka donorowa (ang. donor impurity)

atom podstawiony za atom macierzysty półprzewodnika, co skutkuje pojawieniem się swobodnego elektronu

domieszkowanie (ang. doping)

zmiana w materiale półprzewodnika polegająca na zastąpieniu jednego typu atomu innym

dziura (ang. hole)

nieobsadzony stan w paśmie energetycznym

elektryczne przejście dipolowe (ang. electric dipole transition)

przejście między stanami energetycznymi spowodowane absorpcją lub emisją promieniowania

energia dysocjacji (ang. dissociation energy)

ilość energii potrzebna, aby rozdzielić cząsteczkę na atomy; także całkowita enegia na parę jonów potrzebna, aby rozdzielić kryształ na izolowane jony

energia Fermiego (ang. Fermi energy)

największa energia stanu obsadzonego przez elektron w metalu w $T=0\mathrm{K}$

gęstość stanów (ang. density of states)

liczba dozwolonych stanów kwantowych na jednostkę energii

hybrydyzacja (ang. hybridization)

zmiana w strukturze energetycznej atomu, przy której energetycznie preferowane superpozycje stanów biorą udział w wiązaniu

koncentracja elektronów (ang. electron number density)

liczba elektronów na jednostkę objętości

krytyczne pole magnetyczne (ang. critical magnetic field)

maksymalne pole magnetyczne, przy którym występuje jeszcze nadprzewodnictwo

kubiczna powierzchniowo centrowana (FCC) (ang. face-centered cubic)

struktura kryształu, w której jon otoczony jest przez czterech najbliższych sąsiadów znajdujących się na ścianach sześciennej komórki elementarnej

kubiczna prosta (ang. simple cubic)

podstawowa struktura kryształu, w której jony znajdują się w węzłach sześciennej sieci

kubiczna przestrzennie centrowana (BCC) (ang. body-centered cubic)

struktura kryształu, w której jon otoczony jest przez ośmiu najbliższych sąsiadów ulokowanych w narożnikach sześciennej komórki elementarnej

model elektronów swobodnych (ang. free electron model)

model metalu, w ramach którego elektrony traktowane są jak gaz

nadprzewodnik typu I (ang. type I superconductor)

materiał nadprzewodzący, taki jak aluminium czy rtęć

nadprzewodnik typu II (ang. type II superconductor)

nadprzewodzący związek lub stop zawierający takie pierwiastki jak metale przejściowe czy aktynowce

napięcie przebicia (ang. breakdown voltage)

napięcie w kierunku zaporowym diody, przy którym powstaje prąd lawinowy

nośnik mniejszościowy (ang. minority carriers)

swobodny elektron (lub dziura) wzbudzony termicznie przez przerwę energetyczną

nośnik większościowy (ang. majority carriers)

swobodny elektron (lub dziura) pochodzący od atomu domieszki

obszar zubożony (ang. depletion layer)

obszar obejmujący złącze p–n, w którym występuje pole elektryczne

odległość równowagowa (ang. equilibrium separation distance)

odległość między atomami w cząsteczce

para Coopera (ang. Cooper pair)

para związanych elektronów w nadprzewodniku

pasmo energetyczne (ang. energy band)

pasmo energii, w którym energie elektronowych poziomów energetycznych zmieniają się w sposób niemal ciągły

pasmo przewodnictwa (ang. conduction band)

kolejne pasmo energetyczne powyżej pasma walencyjnego w strukturze energetycznej kryształu

pasmo walencyjne (ang. valence band)

najwyższe całkowicie zapełnione pasmo energetyczne w krysztale

polaryzacja w kierunku przewodzenia (ang. forward bias configuration)

polaryzacja diody, przy której płynie duży prąd

polaryzacja w kierunku zaporowym (ang. reverse bias configuration)

polaryzacja diody, przy której płynie mały prąd

powinowactwo elektronowe (ang. electron affinity)

energia związana z przyłączeniem elektronu

poziom domieszkowy (ang. impurity band)

poziom energetyczny powstały na skutek domieszkowania półprzewodnika

półprzewodnik (ang. semiconductor)

materiał o stosunkowo niewielkiej przerwie energetycznej pomiędzy najwyższym zapełnionym pasmem a kolejnym dostępnym niezapełnionym pasmem energetycznym

półprzewodnik typu n (ang. n-type semiconductor)

domieszkowany półprzewodnik, w którym głównie elektrony przewodzą prąd

półprzewodnik typu p (ang. p-type semiconductor)

domieszkowany półprzewodnik, w którym głównie dziury przewodzą prąd

prąd bazy (ang. base current)

prąd płynący w obwodzie bazy tranzystora

prąd kolektora (ang. collector current)

prąd płynący w obwodzie kolektora tranzystora

prędkość unoszenia (ang. drift velocity)

średnia prędkość uporządkowanego przemieszczania się cząstki, która porusza się losowo

przerwa energetyczna (ang. energy gap)

przerwa między pasmami energetycznymi w ciele stałym

reguła wyboru (ang. selection rule)

reguła, która ogranicza możliwe przejścia między jednym stanem kwantowym a drugim

rotacyjne poziomy energetyczne (ang. rotational energy levels)

poziomy energetyczne związane z energią ruchu obrotowego cząsteczki

sieć (ang. lattice)

regularne ułożenie atomów tworzące strukturę kryształu

stała Madelunga (ang. Madelung constant)

stała zależna od geometrii kryształu, używana do określenia całkowitej energii potencjalnej jonu w krysztale

stała odpychania (ang. repulsion constant)

parametr doświadczalny związany z siłą odpychania między jonami, gdy jony zbliżają się do siebie i zaczyna mieć znaczenie zakaz Pauliego

symetria wymiany (ang. exchange symmetry)

informuje, jak zmienia się funkcja falowa przy zamianie dwóch elektronów

temperatura Fermiego (ang. Fermi temperature)

efektywna temperatura elektronów o energiach równych energii Fermiego

temperatura krytyczna (ang. critical temperature)

maksymalna temperatura, przy której występuje jeszcze nadprzewodnictwo

teoria BCS (ang. BCS theory)

teoria nadprzewodnictwa oparta na koncepcji oddziaływania elektron–sieć–elektron

tranzystor złączowy (ang. junction transistor)

elektryczny zawór oparty na układzie złączy p–n–p

wiązanie jonowe (ang. ionic bond)

wiązanie utworzone przez przyciąganie Coulomba między dodatnimi i ujemnymi jonami

wiązanie kowalencyjne (ang. covalent bond)

wiązanie powstałe poprzez uwspólnienie jednego lub większej liczby elektronów przez atomy

wiązanie van der Waalsa (ang. van der Waals bond)

wiązanie utworzone przez przyciąganie dwóch spolaryzowanych elektrycznie cząsteczek

wibracyjne poziomy energetyczne (ang. vibrational energy levels)

poziomy energetyczne związane z energią drgań cząsteczki

wzmacniacz (ang. amplifier)

urządzenie elektryczne służące do wzmacniania sygnałów elektrycznych

złącze p–n (ang. p–n junction)

złącze powstałe na styku dwóch półprzewodników typu p i typu n