Kluczowe pojęcia
- atom domieszki (ang. impurity atom)
- atom domieszki akceptorowej lub donorowej
- cząsteczka wieloatomowa (ang. polyatomic molecule)
- cząsteczka zawierająca więcej niż dwa atomy
- czynnik Fermiego (ang. Fermi factor)
- liczba wyrażająca prawdopodobieństwo, że stan o danej energii jest obsadzony
- domieszka akceptorowa (ang. acceptor impurity)
- atom podstawiony za atom macierzysty w półprzewodniku, co skutkuje pojawieniem się swobodnej dziury elektronowej
- domieszka donorowa (ang. donor impurity)
- atom podstawiony za atom macierzysty półprzewodnika, co skutkuje pojawieniem się swobodnego elektronu
- domieszkowanie (ang. doping)
- zmiana w materiale półprzewodnika polegająca na zastąpieniu jednego typu atomu innym
- dziura (ang. hole)
- nieobsadzony stan w paśmie energetycznym
- elektryczne przejście dipolowe (ang. electric dipole transition)
- przejście między stanami energetycznymi spowodowane absorpcją lub emisją promieniowania
- energia dysocjacji (ang. dissociation energy)
- ilość energii potrzebna, aby rozdzielić cząsteczkę na atomy; także całkowita enegia na parę jonów potrzebna, aby rozdzielić kryształ na izolowane jony
- energia Fermiego (ang. Fermi energy)
- największa energia stanu obsadzonego przez elektron w metalu w
- gęstość stanów (ang. density of states)
- liczba dozwolonych stanów kwantowych na jednostkę energii
- hybrydyzacja (ang. hybridization)
- zmiana w strukturze energetycznej atomu, przy której energetycznie preferowane superpozycje stanów biorą udział w wiązaniu
- koncentracja elektronów (ang. electron number density)
- liczba elektronów na jednostkę objętości
- krytyczne pole magnetyczne (ang. critical magnetic field)
- maksymalne pole magnetyczne, przy którym występuje jeszcze nadprzewodnictwo
- kubiczna powierzchniowo centrowana (FCC) (ang. face-centered cubic)
- struktura kryształu, w której jon otoczony jest przez czterech najbliższych sąsiadów znajdujących się na ścianach sześciennej komórki elementarnej
- kubiczna prosta (ang. simple cubic)
- podstawowa struktura kryształu, w której jony znajdują się w węzłach sześciennej sieci
- kubiczna przestrzennie centrowana (BCC) (ang. body-centered cubic)
- struktura kryształu, w której jon otoczony jest przez ośmiu najbliższych sąsiadów ulokowanych w narożnikach sześciennej komórki elementarnej
- model elektronów swobodnych (ang. free electron model)
- model metalu, w ramach którego elektrony traktowane są jak gaz
- nadprzewodnik typu I (ang. type I superconductor)
- materiał nadprzewodzący, taki jak aluminium czy rtęć
- nadprzewodnik typu II (ang. type II superconductor)
- nadprzewodzący związek lub stop zawierający takie pierwiastki jak metale przejściowe czy aktynowce
- napięcie przebicia (ang. breakdown voltage)
- napięcie w kierunku zaporowym diody, przy którym powstaje prąd lawinowy
- nośnik mniejszościowy (ang. minority carriers)
- swobodny elektron (lub dziura) wzbudzony termicznie przez przerwę energetyczną
- nośnik większościowy (ang. majority carriers)
- swobodny elektron (lub dziura) pochodzący od atomu domieszki
- obszar zubożony (ang. depletion layer)
- obszar obejmujący złącze p–n, w którym występuje pole elektryczne
- odległość równowagowa (ang. equilibrium separation distance)
- odległość między atomami w cząsteczce
- para Coopera (ang. Cooper pair)
- para związanych elektronów w nadprzewodniku
- pasmo energetyczne (ang. energy band)
- pasmo energii, w którym energie elektronowych poziomów energetycznych zmieniają się w sposób niemal ciągły
- pasmo przewodnictwa (ang. conduction band)
- kolejne pasmo energetyczne powyżej pasma walencyjnego w strukturze energetycznej kryształu
- pasmo walencyjne (ang. valence band)
- najwyższe całkowicie zapełnione pasmo energetyczne w krysztale
- polaryzacja w kierunku przewodzenia (ang. forward bias configuration)
- polaryzacja diody, przy której płynie duży prąd
- polaryzacja w kierunku zaporowym (ang. reverse bias configuration)
- polaryzacja diody, przy której płynie mały prąd
- powinowactwo elektronowe (ang. electron affinity)
- energia związana z przyłączeniem elektronu
- poziom domieszkowy (ang. impurity band)
- poziom energetyczny powstały na skutek domieszkowania półprzewodnika
- półprzewodnik (ang. semiconductor)
- materiał o stosunkowo niewielkiej przerwie energetycznej pomiędzy najwyższym zapełnionym pasmem a kolejnym dostępnym niezapełnionym pasmem energetycznym
- półprzewodnik typu n (ang. n-type semiconductor)
- domieszkowany półprzewodnik, w którym głównie elektrony przewodzą prąd
- półprzewodnik typu p (ang. p-type semiconductor)
- domieszkowany półprzewodnik, w którym głównie dziury przewodzą prąd
- prąd bazy (ang. base current)
- prąd płynący w obwodzie bazy tranzystora
- prąd kolektora (ang. collector current)
- prąd płynący w obwodzie kolektora tranzystora
- prędkość unoszenia (ang. drift velocity)
- średnia prędkość uporządkowanego przemieszczania się cząstki, która porusza się losowo
- przerwa energetyczna (ang. energy gap)
- przerwa między pasmami energetycznymi w ciele stałym
- reguła wyboru (ang. selection rule)
- reguła, która ogranicza możliwe przejścia między jednym stanem kwantowym a drugim
- rotacyjne poziomy energetyczne (ang. rotational energy levels)
- poziomy energetyczne związane z energią ruchu obrotowego cząsteczki
- sieć (ang. lattice)
- regularne ułożenie atomów tworzące strukturę kryształu
- stała Madelunga (ang. Madelung constant)
- stała zależna od geometrii kryształu, używana do określenia całkowitej energii potencjalnej jonu w krysztale
- stała odpychania (ang. repulsion constant)
- parametr doświadczalny związany z siłą odpychania między jonami, gdy jony zbliżają się do siebie i zaczyna mieć znaczenie zakaz Pauliego
- symetria wymiany (ang. exchange symmetry)
- informuje, jak zmienia się funkcja falowa przy zamianie dwóch elektronów
- temperatura Fermiego (ang. Fermi temperature)
- efektywna temperatura elektronów o energiach równych energii Fermiego
- temperatura krytyczna (ang. critical temperature)
- maksymalna temperatura, przy której występuje jeszcze nadprzewodnictwo
- teoria BCS (ang. BCS theory)
- teoria nadprzewodnictwa oparta na koncepcji oddziaływania elektron–sieć–elektron
- tranzystor złączowy (ang. junction transistor)
- elektryczny zawór oparty na układzie złączy p–n–p
- wiązanie jonowe (ang. ionic bond)
- wiązanie utworzone przez przyciąganie Coulomba między dodatnimi i ujemnymi jonami
- wiązanie kowalencyjne (ang. covalent bond)
- wiązanie powstałe poprzez uwspólnienie jednego lub większej liczby elektronów przez atomy
- wiązanie van der Waalsa (ang. van der Waals bond)
- wiązanie utworzone przez przyciąganie dwóch spolaryzowanych elektrycznie cząsteczek
- wibracyjne poziomy energetyczne (ang. vibrational energy levels)
- poziomy energetyczne związane z energią drgań cząsteczki
- wzmacniacz (ang. amplifier)
- urządzenie elektryczne służące do wzmacniania sygnałów elektrycznych
- złącze p–n (ang. p–n junction)
- złącze powstałe na styku dwóch półprzewodników typu p i typu n